Latvia

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W SMC DIODE SOLUTIONS

Produkta nr.: S2M0025120K-SMC
no gallery
no gallery
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
101.20
3-9
91.09
10-29
80.44
30+
72.23
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

101.20
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W SMC DIODE SOLUTIONS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-2957762
NomNr
S2M0025120K-SMC

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
S2M0025120K-SMC
Brand
SMC DIODE SOLUTIONS
Supplier's product code
S2M0025120K-SMC
Product ID
U-2957762
Case
TO247-4
Drain current
39A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
130nC
Gate-source voltage
-10...25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
SMC DIODE SOLUTIONS
Mounting
THT
On-state resistance
41mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
517W
Pulsed drain current
250A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].