Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W NEXPERIA
Produkta nr.: NSF040120L3A0Q
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 30 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
NSF040120L3A0Q
Product ID
U-3792416
Case
TO247-3
Drain current
46A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
95nC
Gate-source voltage
-10...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
60mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
313W
Pulsed drain current
160A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
NSF040120L3A0Q
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
