Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: IMZA120R020M1H
Piegādes termiņi
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Supplier's product code
IMZA120R020M1H
Product ID
U-2891723
Case
TO247-4
Drain current
71A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate-source voltage
-7...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
36mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
188W
Pulsed drain current
213A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
INFINEON
Product code
IMZA120R020M1H
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
