Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: G3R350MT12J
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-27 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 960 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Noderīga informācija
Specifikācijas
Artikuls
U-2246891
NomNr
G3R350MT12J
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Supplier's product code
G3R350MT12J
Product ID
U-2246891
Case
TO263-7
Drain current
8A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
12nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
0.35Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
75W
Pulsed drain current
16A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
G3R350MT12J
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
