Latvia

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W MICROCHIP (MICROSEMI)

Produkta nr.: MSC180SMA120B
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
17.63
3-9
15.80
10+
13.95
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

17.63
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir50 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W MICROCHIP (MICROSEMI)

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-1906013
Zīmols
NomNr
MSC180SMA120B

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
MSC180SMA120B
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
MSC180SMA120B
Product ID
U-1906013
Case
TO247-3
Drain current
15A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
34nC
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
0.225Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
127W
Pulsed drain current
40A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].