Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.8A; 150.6W; TO220-3 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: TSM60NB190CZ-C0G
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-15 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.8A; 150.6W; TO220-3 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.8A; 150.6W; TO220-3
Piegādātāja preces parametri
NomNr
TSM60NB190CZ-C0G
Brand
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
TSM60NB190CZ-C0G
Product ID
U-2498253
Case
TO220-3
Drain current
10.8A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
31nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
0.19Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
150.6W
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
