Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW NEXPERIA
Produkta nr.: PMZB290UNE2YL
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-22 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 7210 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW
Piegādātāja preces parametri
NomNr
PMZB290UNE2YL
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PMZB290UNE2YL
Product ID
U-2594801
Case
SOT883B
Drain current
0.8A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
1.4nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
1.19Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.35W
Pulsed drain current
4A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
