📦 Vairāk nekā 12 000 preču atradīsi mūsu veikalā - Krasta 105, Rīgā
Vairāk nekā 12 000 preču atradīsi mūsu veikalā - Krasta 105, Rīgā
Latvia

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W NEXPERIA

Produkta nr.: NX7002BKMBYL
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-99
0.09
100-499
0.08
500-2499
0.07
2500-9999
0.06
10000+
0.06
B2B

Min. daudzums: 25

Daudzkārtīgums: 5

Kopā:

2.25
2024-05-29 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-29 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir9410 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W NEXPERIA

Specifikācijas

Artikuls
U-2733019
Zīmols
NomNr
NX7002BKMBYL

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W

Piegādātāja preces parametri

NomNr
NX7002BKMBYL
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
NX7002BKMBYL
Product ID
U-2733019
Case
SOT883B
Drain current
0.2A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
5.7Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.68W
Pulsed drain current
0.9A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].