Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8 DIODES INCORPORATED

Produkta nr.: DMN1004UFV-7
no gallery
no gallery
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-24
0.46
25-99
0.42
100-499
0.37
500-1999
0.33
2000+
0.31
B2B

Min. daudzums: 3

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.38
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir1843 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8 DIODES INCORPORATED

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-166295
NomNr
DMN1004UFV-7

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
DMN1004UFV-7
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN1004UFV-7
Product ID
U-166295
Case
PowerDI®3333-8
Drain current
55A
Drain-source voltage
12V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
5.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.9W
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].