Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563 VISHAY
Produkta nr.: SI1012X-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-27 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
SI1012X-T1-GE3
Brand
VISHAY
Case
SC89
Drain current
0.35A
Drain-source voltage
20V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
0.75nC
Gate-source voltage
±6V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.7Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
80mW
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
SI1012X-T1-GE3
Product ID
U-323614
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
