Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W; TO247-3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Produkta nr.: APT5016BLLG
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
24.42
3-9
22.20
10+
19.63
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

24.42
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W; TO247-3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-1905868
Zīmols
NomNr
APT5016BLLG

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W; TO247-3

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT5016BLLG
Product ID
U-1905868
Case
TO247-3
Drain current
30A
Drain-source voltage
500V
Gate charge
72nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
0.16Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
329W
Pulsed drain current
120A
Technology
POWER MOS 7®
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
APT5016BLLG
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].