Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.3W; HVMDIP VISHAY
Produkta nr.: IRLD014PBF
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 120 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.3W; HVMDIP
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
IRLD014PBF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRLD014PBF
Product ID
U-218797
Case
HVMDIP
Drain current
1.2A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
8.4nC
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.2Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
