Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO263-3 INFINEON TECHNOLOGIES

Produkta nr.: IPB049NE7N3GATMA1
no gallery
no gallery
INFINEON
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
2.65
5-24
2.29
25-99
1.83
100-999
1.58
1000+
1.49
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

2.65
2024-05-15 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-15 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

INFINEON
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO263-3 INFINEON TECHNOLOGIES

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-216732
Zīmols
NomNr
IPB049NE7N3GATMA1

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO263-3

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPB049NE7N3GATMA1
Product ID
U-216732
Case
PG-TO263-3
Drain current
80A
Drain-source voltage
75V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
4.9mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
150W
Technology
OptiMOS™ 3
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
IPB049NE7N3GATMA1
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].