Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB VISHAY
Produkta nr.: SIHP24N80AEF-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-17 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 487 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Piegādātāja preces parametri
NomNr
SIHP24N80AEF-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHP24N80AEF-GE3
Product ID
U-3721319
Case
TO220AB
Drain current
20A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
90nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.195Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
208W
Pulsed drain current
46A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
