Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223 PanJit Semiconductor
Produkta nr.: PJW4N06A-AU-R2
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-24 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223 PanJit Semiconductor
Specifikācijas
Artikuls
U-3825345
NomNr
PJW4N06A-AU-R2
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Piegādātāja preces parametri
Product code
PJW4N06A-AU-R2
Supplier's product code
PJW4N06A-AU-R2
Product ID
U-3825345
Case
SOT223
Drain current
3.2A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
5.1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.11Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.6W
Pulsed drain current
8A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
