Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W VISHAY

Produkta nr.: SIHFBC20L-GE3
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
1.54
5-24
1.39
25-99
1.23
100-499
1.09
500+
1.03
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.54
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W VISHAY

Specifikācijas

Artikuls
U-3045891
Zīmols
NomNr
SIHFBC20L-GE3

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W

Piegādātāja preces parametri

NomNr
SIHFBC20L-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHFBC20L-GE3
Product ID
U-3045891
Case
TO262
Drain current
1.4A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
18nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
4.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
50W
Pulsed drain current
8A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].