Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 65A VISHAY
Produkta nr.: SIRA96DP-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-27 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 65A
Piegādātāja preces parametri
NomNr
SIRA96DP-T1-GE3
Supplier's product code
SIRA96DP-T1-GE3
Product ID
U-3046130
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
12A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
31nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
12mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
22.2W
Pulsed drain current
65A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
