Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.2A; Idm: 50A VISHAY
Produkta nr.: SIS406DN-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-27 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 2989 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.2A; Idm: 50A
Piegādātāja preces parametri
NomNr
SIS406DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIS406DN-T1-GE3
Product ID
U-3046146
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
12.2A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
28nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
14.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.3W
Pulsed drain current
50A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
