Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW DIODES INCORPORATED
Produkta nr.: DMN67D8LDW-7
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW DIODES INCORPORATED
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW
Piegādātāja preces parametri
NomNr
DMN67D8LDW-7
Case
SOT363
Drain current
0.18A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
821pC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
7.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.41W
Pulsed drain current
0.8A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN67D8LDW-7
Product ID
U-2876242
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
