Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A ROHM SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: SH8M51GZETB
Piegādes termiņi
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A
Piegādātāja preces parametri
Product code
SH8M51GZETB
Product ID
U-2966403
Case
SOP8
Drain current
3/-2.5A
Drain-source voltage
100/-100V
Gate charge
8.5/12.5nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
190/340mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
10...12A
Type of transistor
N/P-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
SH8M51GZETB
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
