Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A VISHAY
Produkta nr.: SI2393DS-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Piegādātāja preces parametri
NomNr
SI2393DS-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2393DS-T1-GE3
Product ID
U-3822836
Case
SOT23
Drain current
-7.5A
Drain-source voltage
-30V
Gate charge
25.2nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
33mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.5W
Pulsed drain current
-50A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
