Latvia

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 INFINEON TECHNOLOGIES

Produkta nr.: BSP316PH6327XTSA1
no gallery
no gallery
INFINEON
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
2.07
5-24
0.84
25-99
0.75
100-249
0.65
250+
0.61
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

2.07
2024-05-22 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-22 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

INFINEON
Zīmols
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 INFINEON TECHNOLOGIES

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-133297
Zīmols
NomNr
BSP316PH6327XTSA1

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
BSP316PH6327XTSA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
BSP316PH6327XTSA1
Product ID
U-133297
Case
PG-SOT223
Drain current
-680mA
Drain-source voltage
-100V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
1.8Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.8W
Technology
SIPMOS™
Type of transistor
P-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].