Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23 VISHAY
Produkta nr.: SI2323DS-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 3000 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
SI2323DS-T1-GE3
Case
SOT23
Drain current
-3.8A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
19nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
68mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.25W
Pulsed drain current
-20A
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2323DS-T1-GE3
Product ID
U-2300320
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
