Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW VISHAY
Produkta nr.: SI1013CX-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 2990 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Piegādātāja preces parametri
Product code
SI1013CX-T1-GE3
Case
SC89
Drain current
-0.45A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
2.5nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.19W
Pulsed drain current
-1.5A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI1013CX-T1-GE3
Product ID
U-3127365
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
