Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 VISHAY

Produkta nr.: SI4800BDY-E3
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-24
0.59
25-99
0.55
100-499
0.51
500-2499
0.46
2500+
0.43
B2B

Min. daudzums: 3

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.77
2024-05-15 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-15 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir837 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 VISHAY

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-323724
Zīmols
NomNr
SI4800BDY-E3

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
SI4800BDY-E3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI4800BDY-E3
Product ID
U-323724
Case
SO8
Drain current
7A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
13nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.5W
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].