Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 VISHAY
Produkta nr.: IRFD9110PBF
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 353 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
IRFD9110PBF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRFD9110PBF
Product ID
U-218148
Case
DIP4
Drain current
-0.49A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
8.7nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
1.2Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Type of transistor
P-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
